Фургон фотон: Китайский грузовик Foton Aumark — Купить новый грузовой автомобиль Фотон на официальном сайте

Содержание

Фотон 1093 — ТТМ Центр


  • Купить в кредит

  • Купить в лизинг

  • Страхование

  • Trade-in

Данный автомобиль снят с производства.

На смену Foton 1093 теперь выпускается

аналогичный по характеристикам Foton Aumark BJ1129

Легкий, недорогой грузовик китайского производства Foton Ollin BJ 1093 отлично зарекомендовал себя на российских дорогах в тяжелых климатических условиях. Этот автомобиль был специально разработан для эксплуатации в условиях повышенных нагрузок. Он способен выполнять свои функции при низкой температуре окружающей среды, повышенной влажности, плохом дорожном покрытии и при прочих негативных факторах.

Китайский среднетоннажный грузовой автомобиль Foton Ollin BJ 1093 способен перевозить грузы, массой до 6.5 тонн. Полная масса нагруженной машины составляет 10.7 тонн.

Оснащается 4-литровым дизельным двигателем, мощностью 132 л.с., демонстрирующим отличные динамичные характеристики и экономичность. Расход топлива в смешенном режиме составляет около 18 литров на 100 км хода. Бак рассчитан на 120 литров солярки. Также к преимуществам силового агрегата грузовика можно отнести экологичность, неприхотливость к качеству топлива и надежность.

Выпускаться эта модель грузовика может в нескольких вариациях, в зависимости от типа надстройки кузова и оснащения. Наибольшее распространение получили промтоварные фургоны, изготовленные из сэндвич панелей. Возможны два варианта кузова, отличающиеся габаритными размерами, в первом можно перевозить до 12 европаллет, во втором – до 14 паллет европейского стандарта.

Несмотря на свою высокую грузоподъемность (для грузовика этого класса), Foton Ollin BJ 1093 настолько же маневренный, как и малотоннажные, легкие фургоны. Он демонстрирует прекрасную управляемость, как в черте города на загруженных автомобилями улицах, так и на скоростных междугородних трассах.

Великолепный обзор и практически полное отсутствие мертвых зон – это результат наличия обширного лобового стекла и больших зеркал заднего вида.

В базовую комплектацию грузовика входит антиблокировочная система, противотуманные фары, отопитель салона, аудиоподготовка, электростеклоподъемники и зеркала заднего вида с подогревом. Удобство нахождения за рулем, а также процесс вождения обеспечивает регулировка рулевой колонки, гидроусилитель руля, горный тормоз, утепление пола и пр. Эргономика салона на высоком уровне – все элементы управления автомобилем и системами находятся на привычных местах, легко доступны и понятны в настройке. Сам салон выполнен в приятном, запоминающимся стиле, материал отделки выглядит дорого и надежно.

Технические характеристики

Страна происхождения:

Китай

Водительская категория:

С

Полная масса:

10. 7 т

Грузоподъемность по ПТС:

5– 5.5 т.

Фактическая грузоподъемность:

до 6,5 т.

Кабина:

 

Колесная формула / ведущие колеса:

4 x 2 / задние

Ошиновка заднего моста:

двускатная

Тип двигателя:

дизель    Phaser 135 Ti-30

Объем двигателя:

4 л.  

Мощность:

132 л.с.

КПП:

механическая, 6-ступенчатая

Подвеска:

передняя /задняя – зависимая, рессорная

Тормоза:

передние /задние – барабанные с пневматическим приводом

Шины:

8.

25 R16

Размеры стандартного

фургона ДхШхВ:

5,45х2,54х2,35

Внутренний объем фургона:

30 м.куб.

Вместимость паллет:

14 паллет

Гарантия:

2 года 100 000 км.

Межсервисный интервал:

10 000 км.

Расход топлива:

18 литров / 100 км.

Топливный бак:

120 л.
Комплектация
  • АБС
  • Тахометр
  • Горный тормоз
  • Солнцезащитные козырьки
  • Противотуманные фары
  • Отопитель салона
  • Инструментальный ящик
  • Радиоприёмник, антенна, динамики
  • Коробка  отбора мощности
  • Центральный замок
  • Фильтр предварительной очистки топлива
  • Электростеклоподъемники
  • Зеркала заднего вида с подогревом
  • Регулируемая рулевая колонка
  • Заднее и боковые противоподкатные устройства
  • Гидроусилитель руля
  • Бампер, окрашенный  в цвет кабины
  • Блокировка руля
  • Запасное колесо
  • Дополнительное утепление  пола (войлок)
  • Буксировочный крюк
  • Ремни безопасности
  • Салонное зеркало

Размеры стандартных надстроек устанавливаемых на шасси Foton 1093

 

Наименование

 

 

Наружные размеры  фургона  (мм)

 

 

Внутренние размеры фургона (мм)

 

 

Внутренний

объем (м3)

 

Д

Ш

В

Д

Ш

В

фургон длиной 5. 4м

Промтоварный фургон

5450

2540

2350

5350

2440

2200

28.7

Сендвич фургон

низкой изот.

5350

2440

2182

28.5

средней изот.

5210

2440

2162

27. 5

высокой изот.

5250

2400

2122

26.7

* возможно изготовление фургонов по индивидуальным размерам

в пределах допусков, указанных в ОТТС

Схема расположения европаллет (1200х800) в кузове

Промтоварный фургон на шасси Фотон 1129 Аумарк по выгодным ценам в автосалоне ТД Грузовик

Грузовик — торговый дом

  • Прицепная техника
  • Автотехника

Промтоварный фургон Foton 1129 используется для транспортировки на средние и длинные дистанции грузов различного назначения, в том числе и требующих защиты от внешних воздействий. С помощью этого грузовика перевозят мебель, строительные материалы, бытовую технику, различные приборы и оборудование. Машина имеет просторную кабину, рассчитанную на два пассажирских места. Цельнометаллическая кабина откидывается вперед для проведения технического обслуживания и ремонтных работ. В базовую комплектацию входят такие опции, как регулировка руля по высоте и наклону, электропривод стеклоподъемников и зеркал заднего вида, подогрев зеркал, противотуманки, круиз-контроль и кондиционер.

В качестве силового агрегата в фургоне 1129 используется дизельный мотор, объемом 3.8 литра, оснащенный турбонаддувом и интеркулером. Мощность двигателя составляет 166 л. с. Трансмиссия здесь механическая 6-ступенчатая. На 6-ой передаче машина может разгоняться до максимальной скорости в 105 км/ч. На пониженных передачах автомобиль способен преодолевать подъемы, с наклоном до 28.5 градусов к горизонту. Рулевое управление оснащено гидроусилителем. Тормоза барабанные, имеется система ABS. Передняя подвеска представлена листовыми рессорами и гидравлическими амортизаторами. Сзади стоят полуэллиптические рессоры.

Обладая внушительной грузоподъемностью (8 тонн), этот грузовик нашел широкое применения в транспортировке средних и больших объемов грузов. Машина обладает небольшим расходом топлива, а расходные материалы для автомобилей Foton одни из самых дешевых на рынке. Поэтому обслуживание грузовиков Фотон 1129 обойдется для их хозяев недорого. Важно, что автомобили полностью адаптированы для эксплуатации в России.

Технические характеристики шасси

Основное

МодификацияBJ1129 LWB
КатегорияC
Колесная формула4—2
Тип кабиныЦельнометаллическая, широкая, одинарная, 2-х дверная, откидывающаяся вперед
Кол-во рядов1
Кол-во мест для сидений3
Спальное место●

Кабина

МодификацияBJ1129 LWB
Кондиционер●
Радио FM / AM●
Электропривод стеклоподъемников●
Подогрев боковых зеркал●
Передние противотуманные фары●
Центральный замок●
Потолочная полка над козырьком для документов●
Круиз-контроль●

Массы, (кг)

МодификацияBJ1129 LWB
Полная масса транспортного средства1 (допустимая конструкцией)12 000 (13 095)
Снаряженная масса шасси4 000
Грузоподъемность шасси2 (допустимая конструкцией)8 000 (9 095)
Технически допустимая нагрузка на переднюю ось4 050
Технически допустимая нагрузка на заднюю ось7 950

1Полная масса комплектного грузового транспортного сресдтва на базе данного шасси
2Без учета веса кузова

Габаритные размеры, (мм)

МодификацияBJ1129 LWB
Длина8 810
Ширина2 175
Высота2 510
Колесная база5 200
Передний свес1 265
Задний свес2 465
Минимальный дорожный просвет (по заднему мосту)180
Колея передних колес1 818
Колея задних колес1 800
Радиус разворота от стенки до стенки (левый / правый)9 500 / 8 800

Двигатель

МодификацияBJ1129 LWB
МодельCummins ISF3. 8s4R168
Экологический классЕвро-4
Достижение уровня экологичностиСистема рециркуляции отработавших газов (EGR), SCR
Топливный фильтр грубой очистки (с подогревом)● (●)
Топливный фильтр тонкой очистки (с подогревом)● (●)
ТипДизельный, 4-х тактный, турбонаддув с промежуточным охлаждением (интеркулер), система питания — common-rail
Кол-во и расположение цилиндров4 в ряд
Объем, (см3)3 760
Максимальная мощность, (кВт (л.с.) при об/мин)122 (160) / 2 600
Максимальный крутящий момент, (Н∙м/кг∙м при об/мин)600 / 1 300 — 1 700

Трансмиссия

МодификацияBJ1129 LWB
ТипМеханическая, 6-ступенчатая, полностью синхронизированная
Модель6G 120
Передаточные числа1-я передача6,012
2-я передача3,292
3-я передача2,004
4-я передача1,367
5-я передача1,000 
6-я передача0,769
Задняя передача5,395 
Передаточное число главной передачи5,571

Сцепление

МодификацияBJ1089
ТипСухое, однодисковое, диафрагменного типа, гидравлический привод, вакуумный усилитель 

Тормозная система

МодификацияBJ1129 LWB
ТипПневматическая, двухконтурная
Передние тормозаБарабанные
Задние тормозаБарабанные
ABS / EBD / ASR● / — / —
Стояночный тормозПружинные энергоаккумуляторы на задней оси
ВспомогательнаяМоторный тормоз (заслонка на выпускном коллекторе)

Топливный бак

МодификацияBJ1129 LWB
Емкость, (л)200

Подвеска

МодификацияBJ1129 LWB
ПередняяТипЗависимая, на полуэллиптических листовых рессорах
Кол-во рессор<8>
Гидравлические амортизаторы●
Стабилизатор поперечной устойчивости—
ЗадняяТипЗависимая, на полуэллиптических листовых рессорах
Кол-во рессор10+10
Гидравлические амортизаторы—
Стабилизатор поперечной устойчивости—

Шины

МодификацияBJ1129 LWB
Передние9. 00 R22.5
Задние9.00 R22.5

Другие характеристики

МодификацияBJ1129 LWB
Максимальная скорость, (км/ч)105
Максимальный преодолеваемый подъём, (%)28,5
Напряжение бортовой сети, (В)24

Сервисная информация

МодификацияBJ1129 LWB
Межсервисный интервал, (км)20 000
ГарантияПо времени, (мес.)36
По пробегу, (км)150 000

Кузовное пространство

МодификацияBJ1129 LWB
Монтажная длина рамы шасси, (мм)5 452
Максимальные габариты кузова (Д х Ш х В), (мм)36 500—2 600—2 600
Максимальный объем кузова, (м2)440,00
Штатная коробка отбора мощности5—

3Максимально возможные внешние габариты (длина, ширина, высота) кузовного пространства фургонного типа
4Максимально возможный объем кузова фургонного типа
5Заводская коробка отбора мощности, установленная на коробке переключения передач. Необходима в случае заказа клиентом надстройки с гидросистемой, как крано-манипуляторная установка, эвакуатор, рефрижератор, самосвал и т.д.

Рекомендуемое дополнительное и навесное оборудование

Которым вы можете доукомплектовать указанный автомобиль в нашей компании:

  • Гидроборт (BAR, DHollandia)
  • Подогреватель топливного фильтра
  • Автономный отопитель кабины
  • Инструментальный ящик с замком
  • АКБ ящик с замком
  • Сигнализация
  • Коврики в салон

Цена от 2500000 RUB

Реконфигурируемое фотоиндуцированное легирование двумерных ван-дер-ваальсовых полупроводников с использованием различных энергий фотонов

  • Артикул
  • Опубликовано:
  • Seung-Young Seo 1,2 na1 ,
  • Gunho Moon 1,2 na1 ,
  • Odongo F. N. Ok привет 2 ,
  • Мин Ён Пак 1,2 ,
  • Чолхи Хан ORCID: orcid.org/0000-0002-8936-9407 1,2 ,
  • Сунён Ча 1 ,
  • Хёнён Чхве 3 ,
    • 90 005 Хан Вун Ём 1,4 ,
  • Си- Молодой Чой ORCID: orcid.org/0000-0003-1648-142X 2 ,
  • Джуук Парк ORCID: orcid.org/0000-0003-3683-1933 1 и
  • …
  • Мун-Хо Джо ORCID: orcid.org/0000-0002-3160-358X 1,2,4  

Природная электроника том 4 , страницы 38–44 (2021)Процитировать эту статью

  • 6305 Доступы

  • 28 цитирований

  • 3 Альтметрический

  • Сведения о показателях

Предметы

  • Электронные устройства
  • Электронные материалы
  • Двумерные материалы

Abstract

Двумерные полупроводники обладают рядом электронных и оптических свойств, которые можно использовать при разработке передовых электронных устройств. Однако, в отличие от обычных кремниевых полупроводников, отсутствуют простые методы легирования для монолитной сборки каналов n- и p-типа на одном двумерном полупроводнике, что затрудняет изготовление интегральных схем. Здесь мы сообщаем об обратимом фотоиндуцированном легировании малослойного дителлурида молибдена и диселенида вольфрама, где полярность канала может быть изменена с n-типа на p-тип и наоборот с помощью лазерного излучения на разных частотах. Это реконфигурируемое легирование объясняется селективными взаимодействиями света с решеткой, такими как образование собственных междоузельных дефектов теллура при ультрафиолетовом освещении и включение замещающего кислорода в вакансии теллура и молибдена при видимом освещении. Используя этот подход, мы создаем комплементарное устройство металл-оксид-полупроводник (КМОП) на одном канале, где функции схемы могут динамически сбрасываться с КМОП-инвертора на КМОП-переключатель с использованием импульсов различной световой частоты.

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Соответствующие статьи

Статьи открытого доступа со ссылкой на эту статью.

  • Эмиссия трионов, индуцированная нанорезонаторами, из атомарно тонкого WSe2

    • Чжо Ван
    • , Юанда Лю
    •  … Чжаоган Дун

    Научные отчеты Открытый доступ 23 сентября 2022 г.

  • Функционализация материалов Ван-дер-Ваальса путем придания им формы

    • Глубокая Джаривала

    Свет: наука и приложения Открытый доступ 06 июля 2022 г.

Варианты доступа

Получите доступ к журналу Nature и 54 другим журналам Nature Portfolio

Получите Nature+, нашу самую выгодную подписку на онлайн-доступ

24,99 € / 30 дней

отменить в любое время

Узнать больше

Подписаться на этот журнал

Прием 12 цифровых выпусков и онлайн-доступ к статьям

118,99 € в год

всего 9,92 € за выпуск

Узнать больше

Арендовать или купить эту статью

Получайте только эту статью столько, сколько вам нужно

39,95 $

Узнать больше

Цены могут облагаться местными налогами, которые рассчитываются при оформлении заказа

Рис. 1: Реконфигурируемое легирование каналов 2H-MoTe с несколькими слоями 2 с использованием фотонов различной энергии. Рис. 2. Стабильность во времени реконфигурируемого легирования на 2H-MoTe 2 и реконфигурируемого легирования на малослойных каналах 2H-WSe 2 . Рис. 3: Полярность легирования в зависимости от частоты и интенсивности света. Рис. 4: Наблюдения отдельных примесей в атомном масштабе. Рис. 5: Реконфигурируемый инвертор-переключатель CMOS, настроенный на разные световые частоты.

Доступность данных

Данные, подтверждающие графики в этой статье и другие результаты этого исследования, можно получить у соответствующего автора по обоснованному запросу.

Ссылки

  1. Queisser, HJ & Haller, E.E. Дефекты в полупроводниках: некоторые фатальные, некоторые жизненно важные. Наука 281 , 945–950 (1998).

    Артикул Google Scholar

  2. «>

    Норрис Д. Дж., Эфрос А. Л. и Эрвин С. К. Легированные нанокристаллы. Наука 319 , 1776–1779 (2008).

    Артикул Google Scholar

  3. Ол, Р. С. Свойства кремния, подвергнутого ионной бомбардировке. Белл Сист. Тех. J. 31 , 104–121 (1952).

    Артикул Google Scholar

  4. Мак, К. Ф., Ли, К., Хон, Дж., Шан, Дж. и Хайнц, Т. Ф. Атомарно тонкий MoS 2 : новый прямозонный полупроводник. Физ. Преподобный Летт. 105 , 136805 (2010).

    Артикул Google Scholar

  5. Ли, К.-Х. и другие. Атомарно тонкие p–n-переходы с ван-дер-ваальсовыми гетерограницами. Нац. нанотехнологии. 9 , 676–681 (2014).

    Артикул Google Scholar

  6. «>

    Хео, Х. и др. Поглощение и излучение света, зависящее от межслоевой ориентации в монослойных полупроводниковых пакетах. Нац. коммун. 6 , 7372 (2015).

    Артикул Google Scholar

  7. Шривастава, А. и др. Оптически активные квантовые точки в монослое WSe 2 . Нац. нанотехнологии. 10 , 491–496 (2015).

    Артикул Google Scholar

  8. Хуанг, Б. и др. Слойно-зависимый ферромагнетизм в кристалле Ван-дер-Ваальса вплоть до предела монослоя. Природа 546 , 270–273 (2017).

    Артикул Google Scholar

  9. Kim, J. et al. Сверхбыстрая генерация псевдомагнитного поля для долинных экситонов в монослоях WSe 2 . Наука 346 , 1205–1208 (2014).

    Артикул Google Scholar

  10. «>

    Cui, X. Многотерминальные транспортные измерения MoS 2 с использованием платформы ван-дер-ваальсовой гетероструктуры. Нац. нанотехнологии. 10 , 534–540 (2015).

    Артикул Google Scholar

  11. Desai, S.B. et al. MoS 2 транзистора с длиной затвора 1 нм. Наука 354 , 99–102 (2016).

    Артикул Google Scholar

  12. Кан, К. и др. Послойная сборка двумерных материалов в гетероструктуры пластинчатого масштаба. Природа 550 , 229–233 (2017).

    Артикул Google Scholar

  13. Jauregui, L. A. et al. Электрическое управление динамикой межслоевых экситонов в атомарно тонких гетероструктурах. Наука 366 , 870–875 (2019).

    Артикул Google Scholar

  14. «>

    Seyler, K.L. et al. Сигнатуры долинных экситонов в муаровой ловушке в MoSe 2 /WSe 2 гетеробислои. Природа 567 , 66–70 (2019).

    Артикул Google Scholar

  15. Лю, Х., Хан, Н. и Чжао, Дж. Атомистический взгляд на окисление монослойных дихалькогенидов переходных металлов: от структуры к электронным свойствам. RSC Adv. 5 , 17572–17581 (2015).

    Артикул Google Scholar

  16. Комса Х.-П. и другие. Двумерные дихалькогениды переходных металлов под электронным облучением: дефектообразование и легирование. Физ. Преподобный Летт. 109 , 035503 (2012).

    Артикул Google Scholar

  17. Комса Х.-П. и Крашенинников А.В. Собственные дефекты в массиве и монослое MoS 2 из первых принципов. Физ. Ред. B 91 , 125304 (2015 г.).

    Артикул Google Scholar

  18. Зоу X. и Якобсон Б. И. Открытый холст — 2D-материалы с дефектами, беспорядком и функциональностью. Согл. хим. Рез. 48 , 73–80 (2015).

    Артикул Google Scholar

  19. Халдар С., Вовуша Х., Ядав М.К., Эрикссон О. и Саньял Б. Систематическое исследование структурных, электронных и оптических свойств дефектов атомного масштаба в двумерных дихалькогенидах переходных металлов МХ 2 (M = Mo, W; X = Se, Te). Физ. B 92 , 235408 (2015).

    Артикул Google Scholar

  20. Родс, Д., Че, С. Х., Рибейро-Палау, Р. и Хон, Дж. Беспорядок в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах двумерных материалов. Нац. Матер. 18 , 541–549 (2019).

    Артикул Google Scholar

  21. Ву, Э. и др. Динамически управляемая модуляция полярности MoTe 2 полевые транзисторы с помощью ультрафиолетового излучения и электростатической активации. науч. Доп. 5 , eaav3430 (2019).

    Артикул Google Scholar

  22. Лю, Т. и др. Энергонезависимое и программируемое фотолегирование MoTe 2 для дополнительных электронных устройств без фоторезиста. Доп. Матер. 30 , 1804470 (2018).

    Артикул Google Scholar

  23. Ву, Г. и др. Программируемые гомопереходы дихалькогенидов переходных металлов, контролируемые энергонезависимыми сегнетоэлектрическими доменами. Нац. Электрон. 3 , 43–50 (2020).

    Артикул Google Scholar

  24. «>

    Conan, A., Goreaux, G. & Zoaeter, M. Транспортные свойства Mote 2– x и Моис 2– x соединений между 130 и 300 ° к. J. Phys. хим. Твердые вещества 36 , 315–320 (1975).

    Артикул Google Scholar

  25. Чжан, С. и др. Дефектная структура локализованных экситонов в монослое WSe 2 . Физ. Преподобный Летт. 119 , 046101 (2017).

    Артикул Google Scholar

  26. Ruppert, C., Aslan, O.B. & Heinz, T.F. Оптические свойства и ширина запрещенной зоны одно- и малослойного MoTe 2 кристаллов. Нано Летт. 14 , 6231–6236 (2014).

    Артикул Google Scholar

  27. Сео С.-Ю. и другие. Написание монолитных интегральных схем на двумерном полупроводнике с помощью сканирующего светового зонда. Нац. Электрон. 1 , 512–517 (2018).

    Артикул Google Scholar

  28. Чен Б. и др. Изменения окружающей среды в MoTe 2 экситонная динамика при взаимодействии молекул с активированными дефектами. ACS Nano 9 , 5326–5332 (2015).

    Артикул Google Scholar

  29. Ку, Д. и др. Модуляция несущего типа и улучшение мобильности тонких MoTe 2 . Доп. Матер. 29 , 1606433 (2017).

    Артикул Google Scholar

  30. Park, J.H. et al. Дефектная пассивация дихалькогенидов переходных металлов через интерфейс Ван-дер-Ваальса с переносом заряда. Науч. Доп. 3 , e1701661 (2017).

    Артикул Google Scholar

  31. «>

    Barja, S. et al. Идентификация замещающего кислорода как распространенного точечного дефекта в монослойных дихалькогенидах переходных металлов. Нац. коммун. 10 , 3382 (2019).

    Артикул Google Scholar

  32. Лю Ю., Страдыньш П. и Вей С.-Х. Воздушная пассивация халькогеновых вакансий в двумерных полупроводниках. Анжю. хим. Междунар. Эд. 55 , 965–968 (2016).

    Артикул Google Scholar

  33. Лу, Дж. и др. Атомное залечивание дефектов в дихалькогенидах переходных металлов. Нано Летт. 15 , 3524–3532 (2015).

    Артикул Google Scholar

Скачать ссылки

Благодарности

Эта работа была поддержана Институтом фундаментальных наук (IBS), Корея, под кодом проекта IBS-R014-A1.

Информация об авторе

Примечания автора

  1. Эти авторы внесли равный вклад: Seung-Young Seo, Gunho Moon.

Авторы и филиалы

  1. Центр искусственных низкоразмерных электронных систем Института фундаментальных наук (IBS), Пхохан, Корея

    Seung-Young Seo, Gunho Moon, Min Yeong Park, Cheolhee Han, Soon молодой Ча, Хан Вунг Ём, Джуук Пак и Мун-Хо Джо

  2. Факультет материаловедения и инженерии, Пхоханский университет науки и технологий (POSTECH), Пхохан, Корея

    Seung-Young Seo, Gunho Moon, Odongo F.N. Okello, Min Yeong Park, Cheolhee Han, Si-Young Choi & Moon-Ho Jo

  3. Факультет физики и астрономии, Сеульский национальный университет, Сеул, Корея

    Hy немолодой Чой

  4. Факультет физики Пхоханского университета науки и технологий (POSTECH), Пхохан, Корея

    Хан Ун Ём и Мун-Хо Джо

Авторы

  1. Сеунг-Ён Сео

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  2. Gunho Moon

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  3. Odongo F. N. Okello

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  4. Min Yeong Park

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия

  5. Cheolhee Han

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  6. Soonyoung Cha

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  7. Hyunyong Choi

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  8. Han Woong Yeom

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  9. Si-Young Choi

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  10. Jewook Park

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

  11. Мун-Хо Джо

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

Contributions

S. -Y.S., G.M. и М.-Х.Дж. придумали и разработали проект. С.-Ю.С., Г.М., К.Х., С.К. и Х.К. провел изготовление устройства, фотоиндуцированное легирование и электрические измерения. О.Ф.Н.О. и С.-Ю.К. выполнили измерения ПЭМ и проанализировали данные. J.P. и H.W.Y. выполнили измерения СТМ и проанализировали данные. М.Ю.П. выполнили металлорганическое химическое осаждение из паровой фазы WSe 2 каналов. С.-Ю.С., Г.М. и М.-Х.Дж. написал бумагу. Все авторы обсудили результаты и прокомментировали рукопись.

Автор, ответственный за переписку

Мун-Хо Джо.

Заявление об этике

Конкурирующие интересы

Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Дополнительная информация

Примечание издателя Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

Дополнительная информация

Дополнительная информация

Дополнительная информация Рис. 1–15.

Права и разрешения

Перепечатки и разрешения

Об этой статье

Эта статья цитируется

  • Функционализация материалов Ван-дер-Ваальса путем придания им формы

    • Глубокая Джаривала

    Свет: наука и приложения (2022)

  • Эмиссия трионов, индуцированная нанорезонаторами, из атомарно тонкого WSe2

    • Чжо Ван
    • Юанда Лю
    • Чжаоган Дун

    Научные отчеты (2022)

  • Широкополосная сверточная обработка с использованием гетероструктур с возможностью выравнивания полосы

    • Лецзин Пи
    • Пэнфэй Ван
    • Тянью Чжай

    Натур Электроникс (2022)

  • Модуляция p-/n-типа двумерных дихалькогенидов переходных металлов для электронных и оптоэлектронных устройств

    • Сонгю Ли
    • Ян Ма
    • Юнчжэ Чжан

    Исследования в области нанотехнологий (2022)

  • Улучшение характеристик устройств на основе двумерных полупроводниковых дихалькогенидов переходных металлов: три стратегии

    • Мо Ченг
    • Цзюньбо Ян
    • Джун Хэ

    Границы физики (2022)

Гибридные экситон-фотон-фононные состояния в дихалькогенидной ван-дер-ваальсовой гетероструктуре переходного металла

. 2022 25 февраля; 128 (8): 087401.

doi: 10.1103/PhysRevLett.128.087401.

Дунхай Ли 1 2 , Хангён Шань 3 , Кристоф Рупрехт 4 , Хайко Кнопф 5 6 7 , Кенджи Ватанабэ 8 , Такаши Танигучи 9 , Ин Цинь 10 , Сефааттин Тонгай 10 , Матиас Нусс 1 , Свен Шредер 6 , Фальк Эйленбергер 5 6 7 , Свен Хёфлинг 4 , Кристиан Шнайдер 3 4 , Тобиас Брикснер 1 11

Принадлежности

  • 1 Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany.
  • 2 Университет науки и технологий Китая, 230026 Хэфэй, Китай.
  • 3 Институт физики Ольденбургского университета, D-26129 Ольденбург, Германия.
  • 4 Technische Physik и Исследовательский центр сложных материальных систем Вильгельма Конрада Рентгена, Университет Вюрцбурга, Ам-Хабланд, 97074 Вюрцбург, Германия.
  • 5 Институт прикладной физики, Центр фотоники Аббе, Университет Фридриха Шиллера, Альберт-Эйнштейн-Штрассе 15, 07745 Йена, Германия.
  • 6 Фраунгоферовский институт прикладной оптики и точной инженерии IOF, Albert-Einstein-Straße 7, 07745 Йена, Германия.
  • 7 Школа фотоники имени Макса Планка, Albert-Einstein-Straße 7, 07745 Йена, Германия.
  • 8 Исследовательский центр функциональных материалов, Национальный институт материаловедения, 1-1 Намики, Цукуба, Ибараки 305-0044, Япония.
  • 9 Международный центр наноархитектоники материалов, Национальный институт материаловедения, 1-1 Намики, Цукуба, Ибараки 305-0044, Япония.
  • 10 Материаловедение и инженерия, Школа инженерии материи, транспорта и энергетики, Университет штата Аризона, Темпе, Аризона 85287, США.
  • 11 Центр химии наносистем (CNC), Университет Вюрцбурга, Теодор-Бовери-Вег, 97074 Вюрцбург, Германия.
  • PMID: 35275663
  • DOI: 10.1103/PhysRevLett.128.087401

Дунхай Ли и др. Phys Rev Lett. .

. 2022 25 февраля; 128 (8): 087401.

doi: 10.1103/PhysRevLett.128.087401.

Авторы

Дунхай Ли 1 2 , Хангён Шань 3 , Кристоф Рупрехт 4 , Хайко Кнопф 5 6 7 , Кенджи Ватанабэ 8 , Такаши Танигучи 9 , Ин Цинь 10 , Сефааттин Тонгай 10 , Матиас Нусс 1 , Свен Шредер 6 , Фальк Эйленбергер 5 6 7 , Свен Хёфлинг 4 , Кристиан Шнайдер 3 4 , Тобиас Брикснер 1 11

Принадлежности

  • 1 Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany.
  • 2 Университет науки и технологий Китая, 230026 Хэфэй, Китай.
  • 3 Институт физики Ольденбургского университета, D-26129 Ольденбург, Германия.
  • 4 Technische Physik и Исследовательский центр сложных материальных систем Вильгельма Конрада Рентгена, Университет Вюрцбурга, Ам-Хабланд, 97074 Вюрцбург, Германия.
  • 5 Институт прикладной физики, Центр фотоники Аббе, Университет Фридриха Шиллера, Альберт-Эйнштейн-Штрассе 15, 07745 Йена, Германия.
  • 6 Фраунгоферовский институт прикладной оптики и точной инженерии IOF, Albert-Einstein-Straße 7, 07745 Йена, Германия.
  • 7 Школа фотоники имени Макса Планка, Albert-Einstein-Straße 7, 07745 Йена, Германия.
  • 8 Исследовательский центр функциональных материалов, Национальный институт материаловедения, 1-1 Намики, Цукуба, Ибараки 305-0044, Япония.
  • 9 Международный центр наноархитектоники материалов, Национальный институт материаловедения, 1-1 Намики, Цукуба, Ибараки 305-0044, Япония.
  • 10 Материаловедение и инженерия, Школа инженерии материи, транспорта и энергетики, Университет штата Аризона, Темпе, Аризона 85287, США.
  • 11 Центр химии наносистем (CNC), Университет Вюрцбурга, Теодор-Бовери-Вег, 97074 Вюрцбург, Германия.
  • PMID: 35275663
  • DOI: 10.1103/PhysRevLett.128.087401

Абстрактный

Экситоны в атомарно тонких дихалькогенидах переходных металлов (TMD) были признаны привлекательной платформой для изучения поляритонной физики из-за их огромных энергий связи и гигантской силы осциллятора. Основные спектральные особенности экситонных поляритонов в микрорезонаторах TMD до сих пор традиционно объяснялись с помощью моделей двух связанных осцилляторов. Однако при этом не учитывается влияние фононов на энергетическую структуру поляритонов. Здесь мы устанавливаем и количественно оцениваем тройную связь между экситонами, резонаторными фотонами и фононами. С этой целью мы используем фотолюминесценцию с разрешением по энергии-импульсу и когерентную двумерную спектроскопию с пространственным разрешением для исследования спектральных свойств микрорезонатора с высоким коэффициентом добротности со встроенной ван-дер-ваальсовой гетероструктурой WSe_{2} при комнатной температуре. Наш подход выявляет богатую многоветвевую структуру, которая до сих пор не была захвачена в предыдущих экспериментах. Моделирование данных выявляет гибридные экситон-фотон-фононные состояния, обеспечивая новое физическое понимание экситон-поляритонной системы на основе многослойных TMD.

Похожие статьи

  • Демонстрация поляритонного ступенчатого потенциала путем локального изменения связи света и вещества в ван-дер-ваальсовской гетероструктуре.

    Рупрехт С., Клаас М., Кнопф Х., Танигучи Т., Ватанабэ К., Цинь Ю., Тонгай С., Шредер С., Эйленбергер Ф., Хёфлинг С., Шнайдер С. Рупрехт С. и др. Выбрать Экспресс. 22 июня 2020 г .; 28 (13): 18649-18657. дои: 10.1364/OE.392821. Выбрать Экспресс. 2020. PMID: 32672161

  • Поляритонная гиперспектральная визуализация двумерных полупроводниковых кристаллов.

    Гебхардт К., Фёрг М., Ямагути Х., Билгин И., Мохите А.Д., Гис К., Флориан М., Хартманн М., Хенш Т.В., Хёгеле А., Хунгер Д. Гебхардт С. и соавт. Научный представитель 2019 г. 24 сентября; 9 (1): 13756. doi: 10.1038/s41598-019-50316-8. Научный представитель 2019. PMID: 31551486 Бесплатная статья ЧВК.

  • Поляритонный светодиод комнатной температуры на основе монослоя WS 2 .

    Гу Дж., Чакраборти Б., Хатониар М., Менон В.М. Гу Дж. и др. Нац Нанотехнолог. 2019 ноябрь;14(11):1024-1028. doi: 10.1038/s41565-019-0543-6. Epub 2019 23 сентября. Нац Нанотехнолог. 2019. PMID: 31548689

  • Недавний прогресс в области сильного экситон-фотонного взаимодействия в перовскитах на основе галогенидов свинца.

    Ду В, Чжан С, Чжан Ц, Лю С. Ду В. и др. Adv Mater. 2019 ноябрь;31(45):e1804894. doi: 10.1002/adma.201804894. Epub 2018 6 ноября. Adv Mater. 2019. PMID: 30398690 Обзор.

  • Формирование, релаксация и транспорт межслоевых экситонов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах с ДПМ.

    Цзян И, Чен С, Чжэн В, Чжэн Б, Пан А. Цзян И и др. Легкие научные приложения. 2021 2 апр; 10(1):72. doi: 10.1038/s41377-021-00500-1. Легкие научные приложения. 2021. PMID: 33811214 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Экситонные поляритоны с отрицательной массой, индуцированные диссипативной связью света и вещества в атомарно тонком полупроводнике.

    Вурдак М., Юн Т., Катцер М.

About the author

Related Posts

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *